中文字幕精品无码一区二区,成全视频在线播放观看方法,大伊人青草狠狠久久,亚洲一区影音先锋色资源

2024-2025學(xué)年高考二輪總復(fù)習(xí)課件 化學(xué) 板塊1 專題9 微專題3 晶體結(jié)構(gòu)與計(jì)算(課件 練習(xí))(共2份打包)

資源下載
  1. 二一教育資源

2024-2025學(xué)年高考二輪總復(fù)習(xí)課件 化學(xué) 板塊1 專題9 微專題3 晶體結(jié)構(gòu)與計(jì)算(課件 練習(xí))(共2份打包)

資源簡介

(共55張PPT)
專題九 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
微專題3 晶體結(jié)構(gòu)與計(jì)算
規(guī)律方法整合 建模型
強(qiáng)基培優(yōu)精練 提能力
考前名校押題 練預(yù)測
高考真題賞析 明考向
晶體類型與性質(zhì)
1
角度
1. (2024·湖北選考) 黃金按質(zhì)量分?jǐn)?shù)分級(jí),純金為24 K。Au-Cu合金的三種晶胞結(jié)構(gòu)如圖,Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
?
黃金分級(jí)標(biāo)準(zhǔn)
A.Ⅰ為18 K金
B.Ⅱ中Au的配位數(shù)是12
C.Ⅲ中最小核間距Au—CuD.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中,Au與Cu原子個(gè)數(shù)比依次為1∶1、1∶3、3∶1
【答案】 C
2. (2024·安徽選考)研究人員制備了一種具有鋰離子通道的導(dǎo)電氧化物(LixLayTiO3),其立方晶胞和導(dǎo)電時(shí)Li遷移過程如下圖所示。已知該氧化物中Ti為+4價(jià),La為+3價(jià)。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
?
空位移動(dòng)會(huì)導(dǎo)致離子定向移動(dòng)
【答案】 B
Li+與空位數(shù)目不相等,B項(xiàng)錯(cuò)誤;由立方晶胞的結(jié)構(gòu)可知,與體心最鄰近的O原子數(shù)為12,即位于棱心的12個(gè)O原子,C項(xiàng)正確;導(dǎo)電時(shí)Li+向陰極移動(dòng)方向,即與電流方向相同,則空位移動(dòng)方向與電流方向相反,D項(xiàng)正確。
3. (2023·山東選考)石墨與F2在450 ℃反應(yīng),石墨層間插入F得到層狀結(jié)構(gòu)化合物(CF)x,該物質(zhì)仍具潤滑性,其單層局部結(jié)構(gòu)如圖所示。下列關(guān)于該化合物的說法正確的是(  )
A.與石墨相比,(CF)x導(dǎo)電性增強(qiáng)
B.與石墨相比,(CF)x抗氧化性增強(qiáng)
C.(CF)x中C—C的鍵長比C—F短
D.1 mol (CF)x中含有2x mol共價(jià)單鍵
【答案】 B
【解析】 石墨晶體中每個(gè)碳原子上未參與雜化的1個(gè)2p軌道上電子在層內(nèi)離域運(yùn)動(dòng),故石墨晶體能導(dǎo)電,而(CF)x中沒有未參與雜化的2p軌道上的電子,故與石墨相比,(CF)x導(dǎo)電性減弱,A錯(cuò)誤;(CF)x中C原子的所有價(jià)鍵均參與成鍵,沒有未參與成鍵的孤電子或者不飽和鍵,故與石墨相比,(CF)x抗氧化性增強(qiáng),B正確;已知C的原子半徑比F的大,故可知(CF)x中C—C的鍵長比C—F長,C錯(cuò)誤;由題干結(jié)構(gòu)示意圖可知,在(CF)x中C與周圍的3個(gè)碳原子形成共價(jià)鍵,每個(gè)C—C鍵被2個(gè)碳原子共用,和1個(gè)F原子形成共價(jià)鍵,即1 mol (CF)x中含有2.5x mol共價(jià)單鍵,D錯(cuò)誤。
晶胞分析與計(jì)算
2
角度
4. (2024·河北選考)金屬鉍及其化合物廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、醫(yī)藥等領(lǐng)域。如圖是鉍的一種氟化物的立方晶胞及晶胞中MNPQ點(diǎn)的截面圖,晶胞的邊長為a pm,NA阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.該鉍氟化物的化學(xué)式為BiF3
?
【答案】 D
5. (2024·遼寧選考)某鋰離子電池電極材料結(jié)構(gòu)如圖。結(jié)構(gòu)1是鈷硫化物晶胞的一部分,可代表其組成和結(jié)構(gòu);晶胞2是充電后的晶胞結(jié)構(gòu);所有晶胞均為立方晶胞。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.結(jié)構(gòu)1鈷硫化物的化學(xué)式為Co9S8
C.晶胞2中距Li最近的S有4個(gè)
D.晶胞2和晶胞3表示同一晶體
【答案】 B
【答案】 D
超分子
3
角度
7. (2024·遼寧選考)環(huán)六糊精(D-吡喃葡萄糖縮合物)具有空腔結(jié)構(gòu),腔內(nèi)極性較小,腔外極性較大,可包合某些分子形成超分子。圖1、圖2和圖3分別表示環(huán)六糊精結(jié)構(gòu)、超分子示意圖及相關(guān)應(yīng)用。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.環(huán)六糊精屬于寡糖
B.非極性分子均可被環(huán)六糊精包合形成超分子
C.圖2中甲氧基對(duì)位暴露在反應(yīng)環(huán)境中
D.可用萃取法分離環(huán)六糊精和氯代苯甲醚
【答案】 B
【解析】 1 mol糖水解后能產(chǎn)生2~10 mol單糖的糖稱為寡糖或者低聚糖,環(huán)六糊精是葡萄糖的縮合物,屬于寡糖,A正確;要和環(huán)六糊精形成超分子,該分子的直徑必須要匹配環(huán)六糊精的空腔尺寸,故不是所有的非極性分子都可以被環(huán)六糊精包含形成超分子,B錯(cuò)誤;從主要生成物是對(duì)氯苯甲醚可判斷出圖2中甲氧基對(duì)位暴露在反應(yīng)環(huán)境中,C正確;環(huán)六糊精空腔外有多個(gè)羥基,可以和水形成分子間氫鍵,故環(huán)六糊精能溶解在水中,而氯代苯甲醚不溶于水,所以可以選擇水作為萃取劑分離環(huán)六糊精和氯代苯甲醚,D正確。
8. (2024·湖北選考)科學(xué)家合成了一種如圖所示的納米“分子客車”,能裝載多種稠環(huán)芳香烴。三種芳烴與“分子客車”的結(jié)合常數(shù)(值越大越穩(wěn)定)見表。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.芳烴與“分子客車”可通過分子間相互作用形成超分子
B.并四苯直立裝載與平躺裝載的穩(wěn)定性基本相同
C.從分子大小適配看“分子客車”可裝載2個(gè)芘
D.芳烴π電子數(shù)越多越有利于和“分子客車”的結(jié)合
【答案】 B
【解析】 “分子客車”能裝載多種稠環(huán)芳香烴,故芳烴與“分子客車”通過分子間作用力形成分子聚集體——超分子,A項(xiàng)正確;“分子客車”的長為2.2 nm、高為0.7 nm,從長的方向觀察,有與并四苯分子適配的結(jié)構(gòu),從高的方向觀察則缺少合適結(jié)構(gòu),故平躺裝載的穩(wěn)定性大于直立裝載的穩(wěn)定性,B項(xiàng)錯(cuò)誤;芘與“分子客車”中中間部分結(jié)構(gòu)大小適配,故從分子大小適配看“分子客車”可裝載2個(gè)芘,C項(xiàng)正確;芘、并四苯、蒄中π電子數(shù)逐漸增多,與“分子客車”的結(jié)合常數(shù)逐漸增大,而結(jié)合常數(shù)越大越穩(wěn)定,故芳烴π電子數(shù)越多越有利于和“分子客車”結(jié)合,D項(xiàng)正確。
?晶體的熔、沸點(diǎn)比較
1.不同類型晶體:一般為共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體的熔、沸點(diǎn)有的很高(如鎢),有的很低(如鈉)。
2.共價(jià)晶體:一般組成晶體的原子半徑越小,熔、沸點(diǎn)越高。如熔點(diǎn):金剛石(C—C)>碳化硅(Si—C)>晶體硅(Si—Si)。
3.離子晶體:離子所帶電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子鍵越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)越高。如熔點(diǎn):MgO>NaCl>CsCl。
4.金屬晶體:金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多,半徑越小,金屬鍵越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)越高。如熔點(diǎn):Al>Mg>Na。
5.分子晶體:分子間作用力越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)越高。
(1)組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,一般相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)越高。如熔點(diǎn):I2>Br2>Cl2>F2。
(2)相對(duì)分子質(zhì)量相同或相近的物質(zhì),分子的極性越大,熔、沸點(diǎn)越高。如沸點(diǎn):CO>N2。
(3)同分異構(gòu)體之間:a.一般是支鏈越多,熔、沸點(diǎn)越低。如沸點(diǎn):正戊烷>異戊烷>新戊烷。b.結(jié)構(gòu)越對(duì)稱,熔、沸點(diǎn)越低。如沸點(diǎn):鄰二甲苯>間二甲苯>對(duì)二甲苯。
(4)分子間有氫鍵,熔、沸點(diǎn)較高:HF>HI>HBr>HCl。
?平行六面體晶胞中微粒計(jì)算方法
?確定晶胞中原子坐標(biāo)與投影圖
1.鉀型晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)與投影圖
2.銅型晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)和投影圖
3.金剛石晶胞結(jié)構(gòu)模型的原子坐標(biāo)和投影圖
4.沿體對(duì)角線投影
(1)鉀型晶胞
(2)銅型晶胞
【思維模型】  有關(guān)晶胞各物理量之間的關(guān)系
1.宏觀晶體密度與微觀晶胞參數(shù)的關(guān)系
2.晶體中粒子間距離的計(jì)算
晶體類型與性質(zhì)
1
角度
1. (2024·江西景德鎮(zhèn)二模)“結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)”,下列有關(guān)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的說法中正確的是(  )
A.溫度相同時(shí),水溶液中電離常數(shù):CF3COOHB.熔點(diǎn):NaClC.分子的極性:O2D.F2、Cl2、Br2三種分子中的鍵能:F—F【答案】 C
【解析】 由于電負(fù)性:F>Cl,F(xiàn)—C的極性大于Cl—C的極性,使F3C—的極性大于Cl3C—的極性,導(dǎo)致CF3COOH的羧基中的羥基的極性更大,更容易電離出氫離子,所以溫度相同時(shí),水溶液中電離常數(shù):CF3COOH>CCl3COOH,A錯(cuò)誤;AlCl3屬于分子晶體,NaCl、MgCl2均屬于離子晶體,一般離子晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體,則AlCl3的熔點(diǎn)最低,B錯(cuò)誤;O3為極性分子,O2為非極性分子,故分子的極性:O22. (2024·北京東城區(qū)二模)一種由硼鎂元素組成的離子化合物具有超導(dǎo)性能。該化合物晶體中硼通過共價(jià)鍵形成平面a層,鎂形成平面b層,a層和b層等距交錯(cuò)排列(abab……),俯視圖(部分)如圖。
下列說法正確的是(  )
A.硼層中硼的雜化類型為sp3
B.該化合物的化學(xué)式為MgB2
C.鎂周圍最近且等距的硼有6個(gè)
D.鎂層內(nèi)存在離子鍵
【答案】 B
【解析】 由投影圖可知,硼層中硼原子連接3個(gè)σ鍵,B原子價(jià)電子有3個(gè),全部用于形成σ鍵,無孤電子對(duì),價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+0=3,雜化類型為sp2,故A錯(cuò)誤;由投影圖可知,每個(gè)鎂原子上層距離其最近的硼原子有6個(gè),下層距離其最近的硼原子也有6個(gè),共12個(gè),每個(gè)硼原子上層距離其最近的鎂原子有3個(gè),下層距離其最近的鎂原子也有3個(gè),共6個(gè),則Mg、B原子個(gè)數(shù)比為1∶2,化學(xué)式為MgB2,故B正確,C錯(cuò)誤;Mg層內(nèi)存在金屬鍵,不存在離子鍵,故D錯(cuò)誤。
晶胞分析與計(jì)算
2
角度
3. (2024·河北承德市二模)LaHx在儲(chǔ)氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。高壓下,LaH2中的每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu)獨(dú)立存在,即得到晶體LaHx。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.晶體LaHx中x=8
B.LaH2晶體中La的配位數(shù)為8
C.晶體中H和H的最短距離:LaH2>LaHx
【答案】 A
4. (2024·湖北十堰市二模)新型儲(chǔ)氫合金材料的研究和開發(fā)將為氫氣作為能源的實(shí)際應(yīng)用起到重要的推動(dòng)作用。兩種常見儲(chǔ)氫合金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。設(shè)阿伏加德羅常數(shù)為NA,下列說法正確的是(  )
A.圖中涉及的四種元素均為d區(qū)元素
B.圖b晶體的化學(xué)式為La5Ni
D.圖a晶體儲(chǔ)氫時(shí),儲(chǔ)存的氫相當(dāng)于H2分子在晶胞的體心和棱心位置,則含24 g Mg的該儲(chǔ)氫合金儲(chǔ)存的H2在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的體積約為11.2 L
【答案】 D
下列說法中錯(cuò)誤的是(  )
A.M的化學(xué)式為CsV3Sb5
B.M中V的化合價(jià)為+4和+5
C.V原子周圍緊鄰的Sb原子數(shù)為6
D.M晶體不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)可導(dǎo)電
【答案】 C
2. (2024·江西師大附中三模)CuInS2(摩爾質(zhì)量為M g·mol-1)是生物醫(yī)藥、太陽能電池領(lǐng)域的理想熒光材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,A原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0)。下列說法正確的是(  )
A.距離Cu最近的原子為In
B.沿y軸投影可得晶胞投影圖②
【答案】 D選擇題專項(xiàng)突破分級(jí)訓(xùn)練 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
【強(qiáng)基練】
1. (2024·河北滄州部分示范性高中二模)砷化鎵是重要的半導(dǎo)體材料,用于制作微波集成電路、紅外線發(fā)光二極管等元件,砷化鎵立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞參數(shù)為a pm。下列說法正確的是(  )
A.每個(gè)Ga周圍距離最近的Ga原子個(gè)數(shù)為8
B.Ga原子與As原子的最短距離為a pm
C.該晶胞的質(zhì)量為 g(NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)
D.一個(gè)晶胞中含有4個(gè)As原子和14個(gè)Ga原子
2. (2024·湖北武漢市二模)超導(dǎo)現(xiàn)象一直吸引著廣大科學(xué)家的關(guān)注。某超導(dǎo)材料的晶體結(jié)構(gòu)屬于四方晶系,其晶胞如圖所示。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.第一電離能:I1(Cu)>I1(Ba)
B.與Ba2+等距且最近的Cu2+有12個(gè)
C.該超導(dǎo)材料的化學(xué)式為HgBa2CuO4
D.該晶體的密度為 g·cm-3
3.(2024·河北唐山二模)砷化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料,應(yīng)用廣泛。圖甲為它的立方晶胞結(jié)構(gòu),圖乙為該晶胞沿y軸的投影圖。該晶胞的邊長為d pm,在三維坐標(biāo)系中a、b兩點(diǎn)的原子坐標(biāo)分別為(0,1,0),(1,0,1)。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.As和Ga原子間的最近距離為d pm
B.Ga原子的配位數(shù)為4
C.c點(diǎn)的原子坐標(biāo)為
D.As原子填充在Ga原子圍成的“正四面體空隙”中
4. (2024·河北保定示范性高中二模)晶體世界豐富多彩、復(fù)雜多樣,各類晶體具有的不同結(jié)構(gòu)特點(diǎn),決定著它們具有不同的性質(zhì)和用途。氫化鋁鈉(NaAlH4)是一種新型輕質(zhì)儲(chǔ)氫材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,為長方體。設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.AlH中中心原子Al的雜化方式為sp3雜化
B.NaAlH4晶體中,與AlH緊鄰且等距的Na+有4個(gè)
C.NaAlH4晶體的密度為 g·cm-3
D.若NaAlH4晶胞上下面心處的Na+被Li+取代,得到的晶體的化學(xué)式為Na3Li(AlH4)4
5.(2024·江西南昌市三模)某晶體立方晶胞如圖所示。已知圖中微粒1的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法正確的是(  )
A.Ag+周圍距離最近且相等的N個(gè)數(shù)是6
B.微粒2的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是
C.已知銀與銅位于同一族,銀元素位于元素周期表的d區(qū)
D.若晶胞邊長為a pm,則晶體密度為 g·cm-3
6.(2024·湖南師大附中二模)XeF2晶體屬四方晶系,晶胞參數(shù)如圖所示,晶胞棱邊夾角均為90°。以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱為原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo),如A點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為。已知Xe—F鍵長為r pm,下列說法不正確的是(  )
A.該晶體的密度為 g/cm3
B.B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,r)
C.晶胞中A、B間距離d= pm
D.基態(tài)F原子的核外電子空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有5種
【培優(yōu)練】
7.(2024·河北邢臺(tái)市部分高中二模)硫化鋅是一種優(yōu)良的寬帶隙半導(dǎo)體鋰離子電池負(fù)極材料,具有在充電的同時(shí)合金化反應(yīng)的特點(diǎn)。在充電過程中負(fù)極材料晶胞的組成變化如圖:
下列說法不正確的是(  )
A.當(dāng)ZnmS完全轉(zhuǎn)化為LixZnyS時(shí),Li+和Zn2+轉(zhuǎn)化為LiZn(合金相),每轉(zhuǎn)移6 mol e-生成3 mol LiZn
B.ZnmS晶體中沿晶胞體對(duì)角線方向的一維空間上會(huì)出現(xiàn)“”的排布規(guī)律
C.4種晶胞中,ZnmS原子的空間利用率最低,Li2S中S2-所構(gòu)成的四面體空隙全部被Li+填充
D.若Li2S的晶胞參數(shù)為a nm,則EF間的距離為a nm
8.(2023·湖北選考)鑭La和H可以形成一系列晶體材料LaHn,在儲(chǔ)氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。LaHn屬于立方晶系,晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下,LaH2中的每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu),即得到晶體LaHx。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.LaH2晶體中La的配位數(shù)為8
B.晶體中H和H的最短距離:LaH2>LaHx
C.在LaHx晶胞中,H形成一個(gè)頂點(diǎn)數(shù)為40的閉合多面體籠
D.LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為 g·cm-3
9.(2024·河北邯鄲二模)硒(Se)是一種有抗癌、抗氧化作用的元素,可形成多種化合物。某化合物是潛在熱電材料之一,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示,晶胞參數(shù)為a pm,沿x、y、z軸方向的投影均如圖乙所示。
下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.基態(tài)鉀原子核外電子有10種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)
B.Se和K的最短距離為a pm
C.該化合物的化學(xué)式為K4SeBr
D.距離Se最近的Se有12個(gè)
10.(2024·河北省重點(diǎn)高中三模)硫代硫酸鹽是具有應(yīng)用前景的浸金試劑。硫代硫酸根離子(S2O)可看作SO中的一個(gè)O原子被S原子替代的產(chǎn)物。MgS2O3·6H2O的晶胞形狀為長方體,邊長分別為a nm、b nm、c nm,其結(jié)構(gòu)如圖所示,已知MgS2O3·6H2O的摩爾質(zhì)量是M g·mol-1,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,下列說法正確的是(  )
A.晶胞中[Mg(H2O)6]2+的個(gè)數(shù)為3
B.若晶胞中A的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0),則B的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(a,0,c)
C.S2O的中心硫原子的雜化方式為sp3
D.該晶體的密度為 g·cm-3
選擇題專項(xiàng)突破分級(jí)訓(xùn)練 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
【強(qiáng)基練】
1. (2024·河北滄州部分示范性高中二模)砷化鎵是重要的半導(dǎo)體材料,用于制作微波集成電路、紅外線發(fā)光二極管等元件,砷化鎵立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞參數(shù)為a pm。下列說法正確的是(  )
A.每個(gè)Ga周圍距離最近的Ga原子個(gè)數(shù)為8
B.Ga原子與As原子的最短距離為a pm
C.該晶胞的質(zhì)量為 g(NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)
D.一個(gè)晶胞中含有4個(gè)As原子和14個(gè)Ga原子
【答案】 C
【解析】 每個(gè)Ga周圍距離最近的Ga原子個(gè)數(shù)為12,A錯(cuò)誤;由晶胞結(jié)構(gòu)可知,鎵原子與砷原子的最短距離為體對(duì)角線的,則鎵原子與砷原子的最短距離為a pm,B錯(cuò)誤;該晶胞含有4個(gè)GaAs,晶胞質(zhì)量為= g,C正確;一個(gè)晶胞中含Ga的個(gè)數(shù)為8×+6×=4,4個(gè)As原子,D錯(cuò)誤。
2. (2024·湖北武漢市二模)超導(dǎo)現(xiàn)象一直吸引著廣大科學(xué)家的關(guān)注。某超導(dǎo)材料的晶體結(jié)構(gòu)屬于四方晶系,其晶胞如圖所示。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.第一電離能:I1(Cu)>I1(Ba)
B.與Ba2+等距且最近的Cu2+有12個(gè)
C.該超導(dǎo)材料的化學(xué)式為HgBa2CuO4
D.該晶體的密度為 g·cm-3
【答案】 B
【解析】 同一主族隨原子序數(shù)變大,原子半徑變大,第一電離能變小;同一周期隨著原子序數(shù)變大,第一電離能變大,第一電離能:I1(Cu)>I1(Ba),A正確;由圖可知,與Ba2+等距且最近的Cu2+有4個(gè),B錯(cuò)誤;根據(jù)“均攤法”,晶胞中含4×=1個(gè)Hg、2個(gè)Ba、8×=1個(gè)Cu、16×=4個(gè)O,則化學(xué)式為HgBa2CuO4,C正確;結(jié)合C分析可知,×1030 g·cm-3=×1030 g·cm-3= g·cm-3,D正確。
3.(2024·河北唐山二模)砷化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料,應(yīng)用廣泛。圖甲為它的立方晶胞結(jié)構(gòu),圖乙為該晶胞沿y軸的投影圖。該晶胞的邊長為d pm,在三維坐標(biāo)系中a、b兩點(diǎn)的原子坐標(biāo)分別為(0,1,0),(1,0,1)。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.As和Ga原子間的最近距離為d pm
B.Ga原子的配位數(shù)為4
C.c點(diǎn)的原子坐標(biāo)為
D.As原子填充在Ga原子圍成的“正四面體空隙”中
【答案】 A
【解析】 由晶胞所示可知,Ga在8個(gè)頂點(diǎn)和6個(gè)面心,均攤為×8+×6=4,As在內(nèi)部,為4個(gè),As和Ga原子間的最近距離為體對(duì)角線的,據(jù)此回答。As和Ga原子間的最近距離為體對(duì)角線的,即為d pm,A錯(cuò)誤;Ga原子周圍與之最近的As為4個(gè),即Ga原子的配位數(shù)為4,B正確;由甲、乙圖可知,c點(diǎn)的原子坐標(biāo)為,C正確;根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,As原子占據(jù)Ga原子形成的正四面體空隙,D正確。
4. (2024·河北保定示范性高中二模)晶體世界豐富多彩、復(fù)雜多樣,各類晶體具有的不同結(jié)構(gòu)特點(diǎn),決定著它們具有不同的性質(zhì)和用途。氫化鋁鈉(NaAlH4)是一種新型輕質(zhì)儲(chǔ)氫材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,為長方體。設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.AlH中中心原子Al的雜化方式為sp3雜化
B.NaAlH4晶體中,與AlH緊鄰且等距的Na+有4個(gè)
C.NaAlH4晶體的密度為 g·cm-3
D.若NaAlH4晶胞上下面心處的Na+被Li+取代,得到的晶體的化學(xué)式為Na3Li(AlH4)4
【答案】 B
【解析】 AlH中中心原子Al價(jià)層電子對(duì)數(shù):4+(4-4×1)=4,雜化軌道數(shù)為4,Al的雜化方式為sp3雜化,A正確;觀察體心的AlH,可以看出與AlH緊鄰且等距的Na+有8個(gè),B錯(cuò)誤;Na+個(gè)數(shù)為6×+4×=4,Na+個(gè)數(shù)與AlH個(gè)數(shù)相等,晶胞質(zhì)量為 g,晶胞體積為(a×10-7)2×2a×10-7 cm3=2a3×10-21 cm3,則晶胞密度: g·cm-3,C正確;若NaAlH4晶胞上下面心處的Na+被Li+取代,晶胞中Li+個(gè)數(shù)為2×=1,得到的晶體的化學(xué)式為Na3Li(AlH4)4,D正確。
5.(2024·江西南昌市三模)某晶體立方晶胞如圖所示。已知圖中微粒1的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法正確的是(  )
A.Ag+周圍距離最近且相等的N個(gè)數(shù)是6
B.微粒2的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是
C.已知銀與銅位于同一族,銀元素位于元素周期表的d區(qū)
D.若晶胞邊長為a pm,則晶體密度為 g·cm-3
【答案】 D
【解析】 根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知,Ag+周圍距離最近且相等的N個(gè)數(shù)是4,A錯(cuò)誤;圖中微粒1的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是,則微粒2的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)是,B錯(cuò)誤;銀與銅位于同一族,所以銀在元素周期表的ds區(qū),C錯(cuò)誤;Ag+個(gè)數(shù)為4,N為8×+6×=4,則密度ρ== g·cm-3,D正確。
6.(2024·湖南師大附中二模)XeF2晶體屬四方晶系,晶胞參數(shù)如圖所示,晶胞棱邊夾角均為90°。以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱為原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo),如A點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為。已知Xe—F鍵長為r pm,下列說法不正確的是(  )
A.該晶體的密度為 g/cm3
B.B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,r)
C.晶胞中A、B間距離d= pm
D.基態(tài)F原子的核外電子空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有5種
【答案】 B
【解析】 根據(jù)XeF2的化學(xué)式,可判斷Xe、F原子個(gè)數(shù)比為1∶2,該晶胞中灰球有8×+1=2個(gè),為Xe原子,黑球有8×+2=4個(gè),為F原子,則該晶胞中有2個(gè)XeF2分子。故其密度為ρ== g/cm3= g/cm3,A正確;由Xe-F鍵長為r pm可知,B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為,B錯(cuò)誤;過A點(diǎn)向B點(diǎn)所在棱邊作垂線,相交于D點(diǎn),則D點(diǎn)為B點(diǎn)所在棱邊的中點(diǎn),AD長度為底面對(duì)角線的一半,AD=a pm,則BD= pm;AB= pm,C正確;基態(tài)F原子的核外電子為1s22s22p5,根據(jù)s能級(jí)一個(gè)軌道,p能級(jí)3個(gè)軌道,故1s22s22p5有5種電子空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài),D正確。
【培優(yōu)練】
7.(2024·河北邢臺(tái)市部分高中二模)硫化鋅是一種優(yōu)良的寬帶隙半導(dǎo)體鋰離子電池負(fù)極材料,具有在充電的同時(shí)合金化反應(yīng)的特點(diǎn)。在充電過程中負(fù)極材料晶胞的組成變化如圖:
下列說法不正確的是(  )
A.當(dāng)ZnmS完全轉(zhuǎn)化為LixZnyS時(shí),Li+和Zn2+轉(zhuǎn)化為LiZn(合金相),每轉(zhuǎn)移6 mol e-生成3 mol LiZn
B.ZnmS晶體中沿晶胞體對(duì)角線方向的一維空間上會(huì)出現(xiàn)“”的排布規(guī)律
C.4種晶胞中,ZnmS原子的空間利用率最低,Li2S中S2-所構(gòu)成的四面體空隙全部被Li+填充
D.若Li2S的晶胞參數(shù)為a nm,則EF間的距離為a nm
【答案】 A
【解析】 ZnmS晶胞中,均攤的Zn2+和S2-均為4個(gè),m=1,化學(xué)式為ZnS,當(dāng)ZnS完全轉(zhuǎn)化為LixZnyS時(shí),Li+、Zn2+轉(zhuǎn)化為LiZn合金,生成1 mol LiZn轉(zhuǎn)移3 mol電子,每轉(zhuǎn)移6 mol電子,生成2 mol LiZn,A錯(cuò)誤;根據(jù)ZnmS的晶胞結(jié)構(gòu),體對(duì)角線的一維空間上會(huì)出現(xiàn)“”的排布規(guī)律,B正確;LixZnyS和Li2S晶胞中的原子個(gè)數(shù)多于ZnmS立方晶胞,而ZnnS六方晶胞的體積比ZnmS立方晶胞小,則4種晶胞中,ZnmS原子的空間利用率最低,由Li2S晶胞結(jié)構(gòu)可知,Li2S中S2-所構(gòu)成的四面體空隙全部被Li+填充,C正確;若Li2S的晶胞參數(shù)為a nm,將晶胞切三刀分為8個(gè)小立方體,則E在左后方立方體體心,則EF間的距離為 nm=a nm,D正確。
8.(2023·湖北選考)鑭La和H可以形成一系列晶體材料LaHn,在儲(chǔ)氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。LaHn屬于立方晶系,晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下,LaH2中的每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu),即得到晶體LaHx。下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.LaH2晶體中La的配位數(shù)為8
B.晶體中H和H的最短距離:LaH2>LaHx
C.在LaHx晶胞中,H形成一個(gè)頂點(diǎn)數(shù)為40的閉合多面體籠
D.LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為 g·cm-3
【答案】 C
【解析】 由LaH2的晶胞結(jié)構(gòu)可知,La位于頂點(diǎn)和面心,晶胞內(nèi)8個(gè)小立方體的中心各有1個(gè)H原子,若以頂點(diǎn)La研究,與之最近的H原子有8個(gè),則La的配位數(shù)為8,故A正確;由LaHx晶胞結(jié)構(gòu)可知,每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu),H和H之間的最短距離變小,則晶體中H和H的最短距離:LaH2>LaHx,故B正確;由題干信息可知,在LaHx晶胞中,每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似CH4的結(jié)構(gòu),這樣的結(jié)構(gòu)有8個(gè),頂點(diǎn)數(shù)為4×8=32,且不是閉合的結(jié)構(gòu),故C錯(cuò)誤;1個(gè)LaHx晶胞中含有5×8=40個(gè)H原子,含H質(zhì)量為 g,晶胞的體積為(484.0×10-10 cm)3=(4.84×10-8)3 cm3,則LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為 g ·cm-3,故D正確。
9.(2024·河北邯鄲二模)硒(Se)是一種有抗癌、抗氧化作用的元素,可形成多種化合物。某化合物是潛在熱電材料之一,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示,晶胞參數(shù)為a pm,沿x、y、z軸方向的投影均如圖乙所示。
下列說法錯(cuò)誤的是(  )
A.基態(tài)鉀原子核外電子有10種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)
B.Se和K的最短距離為a pm
C.該化合物的化學(xué)式為K4SeBr
D.距離Se最近的Se有12個(gè)
【答案】 C
【解析】 基態(tài)鉀原子的電子排布式為1s22s22p63s23p64s1,占據(jù)10個(gè)軌道,故有10種空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài),A項(xiàng)正確;Se原子位于八面體的體心,處于晶胞的頂點(diǎn)和面心,所以Se和K的最短距離為晶胞體對(duì)角線的,為a pm,B項(xiàng)正確;根據(jù)均推法,一個(gè)晶胞中含有8個(gè)K和4個(gè)SeBr6,所以化學(xué)式為K2SeBr6,C項(xiàng)錯(cuò)誤;由于Se位于晶胞頂點(diǎn)和面心,根據(jù)面心立方模型,距離Se最近的Se原子有12個(gè),D項(xiàng)正確。
10.(2024·河北省重點(diǎn)高中三模)硫代硫酸鹽是具有應(yīng)用前景的浸金試劑。硫代硫酸根離子(S2O)可看作SO中的一個(gè)O原子被S原子替代的產(chǎn)物。MgS2O3·6H2O的晶胞形狀為長方體,邊長分別為a nm、b nm、c nm,其結(jié)構(gòu)如圖所示,已知MgS2O3·6H2O的摩爾質(zhì)量是M g·mol-1,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,下列說法正確的是(  )
A.晶胞中[Mg(H2O)6]2+的個(gè)數(shù)為3
B.若晶胞中A的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0),則B的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(a,0,c)
C.S2O的中心硫原子的雜化方式為sp3
D.該晶體的密度為 g·cm-3
【答案】 C
【解析】 晶胞中[Mg(H2O)6]2+的個(gè)數(shù)為8×+2×+4×+1=4,A錯(cuò)誤;若晶胞中A的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0,0,0),B為右上頂點(diǎn),分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(1,0,1),B錯(cuò)誤;硫代硫酸根離子(S2O)可看作SO中的一個(gè)O原子被S原子替代的產(chǎn)物,S2O的中心硫原子的雜化方式與SO的中心硫原子的雜化方式相同為sp3,C正確;MgS2O3·6H2O的摩爾質(zhì)量是M g·mol-1,1 nm=10-7 cm,其密度應(yīng)為 g·cm-3,D錯(cuò)誤。

展開更多......

收起↑

資源列表

<pre id="tfb94"><li id="tfb94"></li></pre>

<bdo id="tfb94"><rt id="tfb94"></rt></bdo>
  • <menu id="tfb94"><dl id="tfb94"></dl></menu><i id="tfb94"><acronym id="tfb94"><sub id="tfb94"></sub></acronym></i>

    1. 主站蜘蛛池模板: 壶关县| 遂昌县| 湖南省| 资中县| 公主岭市| 仪陇县| 资源县| 长沙市| 海门市| 张家口市| 长子县| 柳江县| 大石桥市| 旅游| 河南省| 黄陵县| 闵行区| 黄平县| 顺平县| 丁青县| 中超| 徐水县| 台东市| 同心县| 黑水县| 白银市| 清河县| 民丰县| 离岛区| 红安县| 海淀区| 龙门县| 无极县| 北海市| 湟源县| 漾濞| 江达县| 潞城市| 哈密市| 中江县| 遂平县|