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2024年高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)回歸基礎(chǔ)專題22晶體結(jié)構(gòu)及相關(guān)計(jì)算訓(xùn)練
一、單選題，共17小題
1．（23-24高三上·山西·階段練習(xí)）黃銅礦是工業(yè)煉銅的原料，含有的主要元素是硫、鐵、銅。下列有關(guān)說法正確的是
A．基態(tài)硫原子中核外電子有9種空間運(yùn)動狀態(tài)
B．硫元素最簡單氫化物的分子的VSEPR構(gòu)型是V形
C．鐵元素在元素周期表的ds區(qū)
D．CuCl熔點(diǎn)為426℃，熔融時幾乎不導(dǎo)電，容易形成二聚體，說明CuCl是原子晶體
2．（23-24高三上·山西大同·期末）已知氯化鋁的熔點(diǎn)為、氟化鋁的熔點(diǎn)為，氯化鋁二聚體的空間填充模型如圖1所示，氟化鋁的晶胞結(jié)構(gòu)(晶體密度為，阿伏加德羅常數(shù)為)如圖2所示。下列說法正確的是
A．圖1中物質(zhì)的分子式為 B．氟化鋁中的配位數(shù)為6
C．晶胞參數(shù) D．氯化鋁、氟化鋁均為離子晶體
3．（23-24高三上·河南周口·階段練習(xí)）氨是常用的化工原料，研究發(fā)現(xiàn)可通過高效催化劑高選擇性地將還原為。我國科學(xué)工作者利用氮化鈷(圖1)摻雜Cu，獲得具有高效催化性能的摻雜物(圖2)。
下列說法錯誤的是
A．摻雜前，氮化鈷的化學(xué)式為
B．被還原為后，鍵角將變大
C．晶體中，若晶胞參數(shù)為apm，則最近的Co原子核間距為
D．晶體中，Cu原子周圍最近的Co原子為12個
4．（23-24高三上·重慶·階段練習(xí)）一種新型超導(dǎo)材料由Li、Fe、Se組成，晶胞如圖所示(Fe原子均位于面上)。晶胞棱邊夾角均為90°，X的坐標(biāo)為(0，1，)，Y的坐標(biāo)為(，，)，設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值(已知：以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo))。下列說法正確的是
A．可通過紅外光譜和質(zhì)譜測定原子坐標(biāo)
B．坐標(biāo)為(，1，)的原子是Li原子
C．Se原子X與Se原子Y之間的距離為
D．該晶體的密度為
5．（2022·湖北武漢·模擬預(yù)測）金剛石和C60都是由碳元素組成的重要單質(zhì)，金剛石和C60分子及它們的晶胞如圖所示(已知≈1.732、π≈3.14)：
下列說法正確的是
A．每個金剛石晶胞中含有4個碳原子
B．每個C60分子含有90個σ鍵
C．金剛石和C60晶胞中微粒間的作用力均只有共價鍵
D．每個金剛石晶胞原子的空間利用率為74.05%
6．（23-24高三上·湖南長沙·階段練習(xí)）是目前儲氫密度最高的材料之一，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞邊長為apm。Mg原子占據(jù)Fe形成的所有四面體空隙，儲氫后，分子占據(jù)Fe形成的八面體空隙，化學(xué)式為。下列說法正確的是
A．晶胞中，存在的化學(xué)鍵類型為金屬鍵和離子鍵
B．氫氣儲滿后晶體的化學(xué)式為
C．氫氣儲滿后，和的最短距離為
D．晶胞中Fe與Mg的配位數(shù)均為4
7．（23-24高二上·江蘇無錫·階段練習(xí)）砷化硼的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞的邊長為apm，下列說法中正確的是
A．砷化硼的化學(xué)式為B2As
B．砷化硼晶胞中，As的配位數(shù)是4
C．砷化硼晶胞中，B原子之間的最短距離為
D．與B原子最近且距離相等的B原子有6個
8．（22-23高二下·河南·期中）金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(假設(shè)晶胞參數(shù)為anm)，下列說法錯誤的是
A．金原子在晶胞中的空間利用率約為74%
B．c原子的坐標(biāo)為 (，0，)
C．該晶體的密度為
D．金晶胞沿z軸方向的投影圖為
9．（23-24高三上·重慶渝北·階段練習(xí)）[Co(NH3)6]Cl2晶體的晶胞如下圖所示(已知該立方晶胞的邊長為a pm，阿伏加德羅常數(shù)為NA，[Co(NH3)6]Cl2的摩爾質(zhì)量為M g/mol)，以下說法正確的是
A．[Co(NH3)6]Cl2中，中心離子的配位數(shù)為8
B．離[Co(NH3)6]2+最近的Cl- 有4個
C．若規(guī)定A點(diǎn)原子坐標(biāo)為(0，0，0)，則C點(diǎn)原子坐標(biāo)為()
D．[Co(NH3)6]Cl2晶體的密度為
10．（23-24高三上·湖南長沙·階段練習(xí)）硅與鎂能夠形成二元半導(dǎo)體材料，其晶胞如圖所示，已知晶胞參數(shù)為r nm。阿伏加德羅常數(shù)值為NA，下列說法正確的是
A．鎂原子位于硅原子所構(gòu)成的正八面體空隙中，空隙填充率為100%
B．晶體中硅原子的配位數(shù)為4
C．該晶體中兩個硅原子間的最短距離為nm
D．晶體的密度為g/cm3
11．（2023·湖北·高考真題）鑭La和H可以形成一系列晶體材料，在儲氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。屬于立方晶系，晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下，中的每個H結(jié)合4個H形成類似的結(jié)構(gòu)，即得到晶體。下列說法錯誤的是
A．晶體中La的配位數(shù)為8
B．晶體中H和H的最短距離：
C．在晶胞中，H形成一個頂點(diǎn)數(shù)為40的閉合多面體籠
D．單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為
12．（2022高三·全國·專題練習(xí)）某立方鹵化物可用于制作光電材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法錯誤的是
A．的配位數(shù)為6 B．與距離最近的是
C．該物質(zhì)的化學(xué)式為 D．若換為，則晶胞棱長將改變
13．（2023高三·全國·專題練習(xí)）X、Y、Z、Q、W是原子序數(shù)依次增大的前四周期元素，X、Z的基態(tài)原子2p能級上各有兩個未成對電子，Y與Q同主族，W原子N能層只有一個電子，其余能層全充滿。下列說法錯誤的是
A．電負(fù)性為Z>Y>X
B．原子半徑為r(Q)>r(Y)>r(Z)
C．X與Z可以形成含極性鍵的極性分子
D．W與Z形成的化合物晶胞如圖，其化學(xué)式為WZ
14．（22-23高二下·安徽阜陽·階段練習(xí)）鈉元素和硒元素可組成一種對蛋白質(zhì)的合成和糖代謝有保護(hù)作用的無機(jī)化合物，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知和的半徑分別為anm和bnm，晶胞參數(shù)為cnm。下列有關(guān)說法錯誤的是
A．該晶體的化學(xué)式為
B．與距離最近且相等的數(shù)目為8
C．該晶胞的空間利用率為
D．位于由構(gòu)成的四面體空隙中，位于由構(gòu)成的六面體空隙中
15．（2023高三·全國·專題練習(xí)）Li2S屬立方晶體，晶胞邊長為dpm，晶胞截面圖如圖所示。則下列關(guān)于該晶胞的描述正確的是
A．每個晶胞中含有的數(shù)目為8
B．與Li+最近且等距離的有4個
C．該晶胞中兩個距離最近的Li+和的核間距的計(jì)算表達(dá)式為
D．Li2S晶體的密度為
16．（23-24高三上·湖北武漢·期中）硒化鋅是一種重要的半導(dǎo)體材料，圖甲為其晶胞結(jié)構(gòu)，圖乙為晶胞的俯視圖。已知a點(diǎn)的坐標(biāo)(0，0，0)，b點(diǎn)的坐標(biāo)。下列說法正確的是
A．的配位數(shù)為8 B．基態(tài)Se核外有34種不同空間運(yùn)動狀態(tài)的電子
C．晶胞中d點(diǎn)原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為 D．若換為，則晶胞棱長保持不變
17．（23-24高三上·江西南昌·期中）半導(dǎo)體材料硒化鋅的晶胞如圖所示。通過晶體衍射測得晶胞中，面心上硒與頂點(diǎn)硒之間距離為anm，代表阿伏加德羅常數(shù)的值。以晶胞參數(shù)為單位長度建立坐標(biāo)系，可以表示晶胞中各原子的位置，稱為原子坐標(biāo)。在ZnSe晶胞坐標(biāo)系中，A點(diǎn)硒原子坐標(biāo)為，B點(diǎn)鋅原子坐標(biāo)為。下列說法不正確的是
A．Se原子的配位數(shù)為4
B．C的原子坐標(biāo)參數(shù)為(，，)
C．硒化鋅晶體密度為
D．已知SeO3的熔點(diǎn)為165℃，在126℃時升華，則SeO3晶體類型與ZnSe晶體不同
二、多選題，共1小題
18．（2022·山東·高考真題）是一種鈉離子電池正極材料，充放電過程中正極材料立方晶胞(示意圖)的組成變化如圖所示，晶胞內(nèi)未標(biāo)出因放電產(chǎn)生的0價Cu原子。下列說法正確的是
A．每個晶胞中個數(shù)為x
B．每個晶胞完全轉(zhuǎn)化為晶胞，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為8
C．每個晶胞中0價Cu原子個數(shù)為
D．當(dāng)轉(zhuǎn)化為時，每轉(zhuǎn)移電子，產(chǎn)生原子
參考答案：
1．A
【詳解】A．基態(tài)硫原子中核外電子空間運(yùn)動狀態(tài)有1s,2s,3s分別有一種，2p和3p各有3種，共有3+3+3=9種，故A正確；
B．H2S的價層電子對為4，孤電子對為2，成鍵電子對為2，VSEPR模型為正四面體，故B錯誤；
C．Fe位于周期表中第四周期第Ⅷ族，屬于d區(qū)元素，故C錯誤；
D．CuCl的熔點(diǎn)為426℃，熔化時幾乎不導(dǎo)電，應(yīng)為分子晶體，故D錯誤；
故選A。
2．C
【詳解】A．由空間填充圖可知，氯化鋁二聚體的分子式為，A錯誤；
B．由晶胞圖知，的配位數(shù)是2，B錯誤；
C．由的晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中含個數(shù)為，個數(shù)為，化學(xué)式為，，，C正確；
D．是分子晶體，為離子晶體，D錯誤；
故選C。
3．B
【詳解】A．根據(jù)圖1可知頂點(diǎn)和面心都是Co原子，所以共含有4個Co原子，體心含1個氮原子，故化學(xué)式為，故A正確；
B．中氮原子的雜化方式為sp2，中氮原子的雜化方式為sp3，所以鍵角大于，故B錯誤；
C．晶體中，Co原子位于面心，若晶胞參數(shù)為apm，最近的Co原子核間距為，故C正確；
D．晶體中，Cu原子位于頂點(diǎn)，Co原子位于面心，所以Cu原子周圍最近的Co原子為12個，故D正確；
故選B。
4．C
【詳解】A．利用晶體X射線衍射可測定原子坐標(biāo)，紅外光譜和質(zhì)譜不能測定原子坐標(biāo)，A錯誤；
B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知坐標(biāo)為(，1，)的原子是Z原子，即Fe原子，B錯誤；
C．Se原子X與Se原子Y，沿x軸方向的距離為，沿y軸方向的距離為，沿z軸方向的距離為，兩點(diǎn)間的距離為，C正確；
D．Li原子有8個位于頂點(diǎn)，1個位于體心，個數(shù)為：，F(xiàn)e有8個位于面上，個數(shù)為，Se原子有8個位于棱上，2個位于體內(nèi)，個數(shù)為：，晶胞的質(zhì)量為：，晶胞體積為：，密度為，D錯誤；
故選C。
5．B
【詳解】A．根據(jù)均攤原則，每個金剛石晶胞中碳原子數(shù)為，故A錯誤；
B．C60分子中每個C原子形成3個σ鍵，每個C60分子含有σ鍵數(shù)，故B正確；
C．金剛石晶胞中微粒間的作用力均只有共價鍵，C60晶胞中微粒間的作用力有共價鍵、分子間作用力，故C錯誤；
D．設(shè)晶胞的邊長為a、碳原子半徑為r，金剛石晶胞體對角線等于8r，則，原子的空間利用率，故D錯誤；
選B。
6．C
【詳解】A．構(gòu)成該晶體的元素均為金屬元素，所以存在的化學(xué)鍵類型為金屬鍵，A錯誤；
B．原子形成的八面體空隙在晶胞的棱心和體心，所以每個晶胞中含有4個和8個，個，因此氫氣儲滿后晶體的化學(xué)式為，B錯誤；
C．和的最短距離為面對角線的二分之一，為，C正確；
D．根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，距離原子最近且等距的原子有4個，即的配位數(shù)為4，而該晶體的化學(xué)式為，所以的配位數(shù)為8，D錯誤；
故選C。
7．B
【詳解】A．砷化硼晶胞中，含B原子個數(shù)為=4，含As原子的個數(shù)為4，則化學(xué)式為BAs，A不正確；
B．砷化硼晶胞中，與As最近的B原子有4個，則As的配位數(shù)是4，B正確；
C．砷化硼晶胞中，B原子之間的最短距離為面對角線的，即為，C不正確；
D．確定1個B原子位于晶胞的頂點(diǎn)，與B原子最近且距離相等的B原子位于面心，則B原子個數(shù)為=12，D不正確；
故選B。
8．C
【詳解】A．設(shè)金原子半徑為r，則結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)可知4r=，r=，晶胞中含金原子個數(shù)為，金原子的體積為：4×=，晶胞體積為a3，金原子在晶胞中的空間利用率=≈74%，故A正確；
B．a(chǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)，c處于面心，結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)可知c原子的坐標(biāo)為 (，0，)，故B正確；
C．晶胞質(zhì)量為：，晶胞體積為：nm3，則晶胞密度為，C項(xiàng)錯誤；
D．金晶胞沿z軸方向投影，頂點(diǎn)原子均投影在正方形頂點(diǎn)，面心分別投影在棱心和面心，投影圖正確，故D正確；
故選：C。
9．C
【詳解】A．[Co(NH3)6]Cl2中的中心離子為Co2+，其配位原子為N，配位數(shù)為6，選項(xiàng)A錯誤；
B．由[Co(NH3)6]Cl2晶胞結(jié)構(gòu)可知，[Co(NH3)6]2+周圍等距離且最近的有8個Cl-，選項(xiàng)B錯誤；
C．C位于晶胞內(nèi)部，若把晶胞分為8個相等的小立方體，則C位于左后上的小立方體的體心，根據(jù)A、B的原子坐標(biāo)參數(shù)可知，C的原子坐標(biāo)參數(shù)為()，選項(xiàng)C正確；
D．通過晶胞結(jié)構(gòu)，根據(jù)均攤法，一個晶胞含有的[Co(NH3)6]2+的個數(shù)為個，含有的Cl-的個數(shù)為8個，故每個晶胞中含有4個[Co(NH3)6]Cl2，[Co(NH3)6]Cl2的摩爾質(zhì)量是Mg/mol，晶胞體積為a3pm3，則晶胞的密度為，選項(xiàng)D錯誤；
答案選C。
10．C
【詳解】A．觀察給出的晶胞可知，鎂原子位于硅原子所構(gòu)成的正四面體空隙中，空隙填充率為100%，A錯誤；
B．與硅原子等距且最近的鎂原子數(shù)為8，故晶體中硅原子配位數(shù)為8，B錯誤；
C．最近的硅原子之間的距離為晶胞面對角線的一半，其距離為nm，C正確；
D．該晶體的化學(xué)式為Mg2Si，該晶胞包含4個Mg2Si，該晶胞的質(zhì)量為，晶胞的體積為(r×10-7)3cm3，故晶體的密度為，D錯誤；
故答案為：C。
11．C
【詳解】A．由的晶胞結(jié)構(gòu)可知，La位于頂點(diǎn)和面心，晶胞內(nèi)8個小立方體的中心各有1個H原子，若以頂點(diǎn)La研究，與之最近的H原子有8個，則La的配位數(shù)為8，故A正確；
B．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，每個H結(jié)合4個H形成類似的結(jié)構(gòu)，H和H之間的最短距離變小，則晶體中H和H的最短距離：，故B正確；
C．由題干信息可知，在晶胞中，每個H結(jié)合4個H形成類似的結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)有8個，頂點(diǎn)數(shù)為48=32，且不是閉合的結(jié)構(gòu)，故C錯誤；
D．1個晶胞中含有58=40個H原子，含H質(zhì)量為g，晶胞的體積為(484.010-10cm)3=(4.8410-8)3cm3，則單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為，故D正確；
答案選C。
12．B
【詳解】A．配位數(shù)為與其距離最近且等距離的F-的個數(shù)，如圖所示，位于體心，F(xiàn)-位于面心，所以配位數(shù)為6，A正確；
B．與的最近距離為棱長的，與的最近距離為棱長的，所以與距離最近的是，B錯誤；
C．位于頂點(diǎn)，所以個數(shù)==1，F(xiàn)-位于面心，F(xiàn)-個數(shù)==3，位于體心，所以個數(shù)=1，綜上，該物質(zhì)的化學(xué)式為，C正確；
D．與半徑不同，替換后晶胞棱長將改變，D正確；
故選B。
13．D
【分析】X、Z的基態(tài)原子2p能級上各有兩個未成對電子，因?yàn)樵有驍?shù)依次增大，因此X的價電子排布式為2s22p2，Z的價電子排布式為2s22p4，推出X、Z分別為C、O，Y為N，Y與Q同主族，則Q為P，W原子N能層只有一個電子，其余能層全充滿，即價電子排布式為3d104s1，即W為Cu，據(jù)此分析；
【詳解】A．X、Y、Z分別為C、N、O，同周期電負(fù)性自左向右逐漸增大，因此電負(fù)性順序是O＞N＞C，故A說法正確；
B．Y、Z、Q分別為N、O、P，P核外有三個電子層，其余元素有2個電子層，即P的半徑最大，同周期從左向右原子半徑逐漸減小，因此r(N)＞r(O)，因此三種元素的原子半徑大小順序是r(P)＞r(N)＞r(O)，故B說法正確；
C．X、Z可以形成的化合物為CO、CO2，CO為含極性鍵的極性分子，CO2為含極性鍵的非極性分子，故C說法正確；
D．白球位于晶胞的頂點(diǎn)和體心，個數(shù)為=2，黑球位于晶胞內(nèi)部，個數(shù)為4，根據(jù)球半徑大小，黑球?yàn)镃u，白球?yàn)镺，則化學(xué)式為Cu2O，故D說法錯誤；
答案為D。
14．B
【詳解】A．由題圖可知，該晶胞中位于頂點(diǎn)和面心，共有個，位于晶胞體內(nèi)，共有8個，則該晶體的化學(xué)式為，A正確；
B．由題圖可知，與距離最近且相等的共有12個，B錯誤；
C．該晶胞的空間利用率為，C正確；
D．由題給晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于由構(gòu)成的四面體空隙中，位于由構(gòu)成的六面體空隙中，D正確；
故選B。
15．B
【分析】由晶胞截面圖可知，硫離子位于晶胞的頂點(diǎn)和面心，其離子個數(shù)為，鋰離子位于晶胞內(nèi)，其離子個數(shù)為8。
【詳解】A．由以上分析可知，每個晶胞中含有的S2-數(shù)目為4，A錯誤；
B．Li+位于立方晶胞體對角線四分之一處，與其最近且等距離的S2-有4個，B正確；
C．該晶胞中兩個距離最近的Li+和S2-的核間距恰好為該立方晶胞體對角線的四分之一，該晶胞邊長為dpm，則核間距的計(jì)算表達(dá)式為dpm，C錯誤；
D．由以上分析可知，一個晶胞中含有4個S2-和8個Li+，晶胞邊長為d×10-10cm，則Li2S晶體的密度為，D錯誤；
故選B。
16．C
【詳解】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，周圍距離最近且相等的Zn2+有4個，配位數(shù)為4，故A錯誤；
B．Se的電子排布式：1s22s22p63s23p63d104s24p4，核外含有電子的軌道有1+1+3+1+3+5+1+3=18個，則基態(tài)Se核外有18種不同空間運(yùn)動狀態(tài)的電子，故B錯誤；
C．a(chǎn)的坐標(biāo)為(0，0，0)，b點(diǎn)的坐標(biāo)，則a原子位于坐標(biāo)原點(diǎn)，b原子晶胞頂面的面對角線交點(diǎn)，可知d原子到x軸、y軸、z軸的距離分別是，，，即d的坐標(biāo)為，C正確；
D．和半徑不同，則晶胞棱長將改變，D錯誤；
故選C。
17．B
【詳解】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，距離Se原子最近的Zn原子共有4個，Se原子的配位數(shù)為4，故A正確；
B．根據(jù)A點(diǎn)、B點(diǎn)原子坐標(biāo)，結(jié)合晶胞結(jié)構(gòu)可知，C點(diǎn)原子坐標(biāo)：(，，)，故B錯誤；
C．硒化鋅晶胞中含4個鋅、8=4個硒。硒在晶胞中面心立方分布，面對角線上三個硒相切，晶胞參數(shù)為anm，由密度公式知，=，故C正確；
D．SeO3的熔點(diǎn)較低，易升華，說明粒子之間作用力小，它是分子晶體，硒化鋅作為半導(dǎo)體材料能導(dǎo)電，熔沸點(diǎn)較高，則SeO3晶體類型與ZnSe晶體不同，故D正確；
故選B。
18．BD
【詳解】A．由晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于頂點(diǎn)和面心的硒離子個數(shù)為8×+6×=4，位于體內(nèi)的銅離子和亞銅離子的個數(shù)之和為8，設(shè)晶胞中的銅離子和亞銅離子的個數(shù)分別為a和b，則a+b=8-4x，由化合價代數(shù)和為0可得2a+b=4×2，解得a=4x，故A錯誤；
B．由題意可知，Na2Se轉(zhuǎn)化為Cu2-xSe的電極反應(yīng)式為Na2Se-2e-+(2-x)Cu=Cu2-xSe+2Na+，由晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于頂點(diǎn)和面心的硒離子個數(shù)為8×+6×=4，則每個晶胞中含有4個Na2Se，轉(zhuǎn)移電子數(shù)為8，故B正確；
C．由題意可知，Cu2-xSe轉(zhuǎn)化為NaCuSe的電極反應(yīng)式為Cu2-xSe+ e-+Na+=NaCuSe+(1-x)Cu，由晶胞結(jié)構(gòu)可知，位于頂點(diǎn)和面心的硒離子個數(shù)為8×+6×=4，則每個晶胞中含有4個NaCuSe，晶胞中0價銅而個數(shù)為(4-4x)，故C錯誤；
D．由題意可知，NayCu2-xSe轉(zhuǎn)化為NaCuSe的電極反應(yīng)式為NayCu2-xSe+(1-y) e-+(1-y) Na+=NaCuSe+(1-x)Cu，所以每轉(zhuǎn)移(1-y)電子，產(chǎn)生(1-x)mol銅，故D正確；
故選BD。
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