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(共34張PPT)
《三極管知識(shí)點(diǎn)》
電子控制電路
三極管
半導(dǎo)體三極管（transistor）又稱晶體三極管，簡稱三極管。
三極管是電子電路中的核心器件之一，大多數(shù)電子電路都是圍繞三極管展開的，它也是集成電路中的基礎(chǔ)器件。
三極管的三個(gè)狀態(tài)
截止?fàn)顟B(tài)：，此時(shí)CE不導(dǎo)通
放大狀態(tài)：放大電流為放大系數(shù)
飽和狀態(tài)：集電極電流達(dá)到飽和
三極管外形
Base：基極——中間薄層半導(dǎo)體材料
Emitter：發(fā)射極——向基極發(fā)射大量載流子
Collector：集電極
三極管的引腳
(1)塑料封裝的三極管：識(shí)別引腳時(shí)，將管腳朝下，切口朝自己，從左向右依次為e、b、c腳。
(2)有散熱片的功率三極管：識(shí)別時(shí)將印有型號(hào)的一面朝自己，且將管腳朝下，從左向右依次為b、c、e 腳。
(3)金屬封裝的三極管：它們的外殼上有一個(gè)突出的定位銷,識(shí)別時(shí)各引腳朝上，從定位銷開始順時(shí)針方向依次為e、b、c腳。
(1) (2) (3)
三極管
注意：圖中箭頭方向?yàn)榘l(fā)射極電流的方向
三極管的電流流向
UE
UC
UB
e-
e-
e-
P
N
N
o+
NPN: UC>UB>UE
IC
IB
IE
UE
UC
UB
o+
o+
o+
N
P
P
e-
PNP: UE>UB>UC
IC
IB
IE
三極管的物理模型
1、Ie=Ib+Ic
2、放大狀態(tài)Ib控制Ic
3、飽和狀態(tài)C閥門最大，Ic=Ics
4、兩條通路be、ce
5、不存在bc電流通路（高中階段）
電壓法
放大狀態(tài) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏
飽和狀態(tài) 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏
截止?fàn)顟B(tài) 發(fā)射結(jié)反偏或零偏置，集電結(jié)反偏
放大 飽和
NPN Uc>Ub> Ue Ub>Uc> Ue
PNP Uc電流法
三極管的三個(gè)工作狀態(tài)：
（1）截止：Ib = 0，Ic = 0，Ie = 0。
（2）導(dǎo)通：Ib ≠ 0
①放大：Ic = βIb (β=20-150) Ic受Ib控制
②飽和：Ic < βIb，且
Ic = Ics = Const Ic到達(dá)上限不受Ib控制
當(dāng)Ib從0開始增加時(shí)，三極管會(huì)依次經(jīng)歷截止、放大和飽和三個(gè)狀態(tài)。
相應(yīng)地， Ic從0開始以Ib的β倍逐漸增加；達(dá)到飽和時(shí)， Ic增速放緩，最后達(dá)到Ics保持不變。飽和時(shí)隨著Ib的增加，實(shí)際放大倍率逐漸減小。
分析
Rb
Rc
Ib
Ic
偏置電路
狀態(tài)分析
放大時(shí)
放大到飽和時(shí):
不斷增大但小于
為飽和CE壓降
電壓法與電流法
三極管的工作狀態(tài)
以NPN硅管為例
①截止?fàn)顟B(tài)
從電流角度：Ib=0；Ic=0；Ie=0。
從電壓角度：硅管Ube＜0.5V； φc=Vcc；φe=0；
Uce=φc-φb=Vcc。
此時(shí)集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)反偏
②放大狀態(tài)
從電流角度：Ie=Ic+Ib；Ic=β Ib。Ie＞Ic＞Ib。
從電壓角度：φc＞φb＞φe；Ube∈[0.6V,0.7V]；
Uce≈1/2Vcc。
此時(shí)集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏
③飽和狀態(tài)
從電流角度： Ic < βIb；Ic = Ics
從電壓角度：φb＞φe；φb＞φc；Ube=0.7V。
此時(shí)集電結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)正偏
電壓法與電流法
三極管的工作狀態(tài)
以PNP硅管為例
①截止?fàn)顟B(tài)
從電流角度：Ib=0；Ic=0；Ie=0。
從電壓角度：硅管Ueb＜0.5V； φe=Vcc；φc=0；
Uec=φe-φc=Vcc。
此時(shí)集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)反偏
②放大狀態(tài)
從電流角度：Ie=Ic+Ib；Ic=β Ib。Ie＞Ic＞Ib。
從電壓角度： φe＞φb＞φc ；Ueb∈[0.6V,0.7V]；
Uce≈≈1/3Vcc~2/3Vcc。
此時(shí)集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏
③飽和狀態(tài)
從電流角度： Ic < βIb；Ic = Ics
從電壓角度：φb<φe；φb<φc；Ueb=0.7V。
此時(shí)集電結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)正偏
電壓、電流關(guān)系
截止?fàn)顟B(tài)：，此時(shí)CE不導(dǎo)通
發(fā)射結(jié)反偏或零偏
放大狀態(tài)：放大電流
發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏
飽和狀態(tài)：集電極電流達(dá)到飽和
發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)正偏
三極管
一般β值在20-150之間
三極管
知識(shí)點(diǎn)講解
一般β值在20-150之間
截止
放大
飽和
Ib
狀態(tài)
放大：Ics > βIb
飽和：Ics < βIb
Rc=80Ω
狀態(tài)分析
思考：
1）根據(jù)電流方向推斷電流大小關(guān)系
2）NPN型三極管中Ube，Uce大于0還是小于0？
3）PNP型三極管呢？
飽和狀態(tài)分析
1、三極管深度飽和時(shí)，硅管的Uces約為0.3V，鍺管約為0.1V。
2、若確定了三級管和Rc，則飽和電流大小隨之確定：由此可以通過計(jì)算與結(jié)合放大倍數(shù)來判斷三極管的工作狀態(tài)。
3、由于深度飽和時(shí)Uces≈0，三極管可看作一個(gè)閉合的開關(guān)。
知識(shí)點(diǎn)總結(jié)
知識(shí)點(diǎn)總結(jié)
分析
示意圖
示意圖
示意圖
示意圖
狀態(tài)分析
NPN(Si)三極管(）
估算 Ic與 Uce并判斷三極管工作狀態(tài)
狀態(tài)分析
NPN(Si)三極管(）
估算 Ic與 Uce并判斷三極管工作狀態(tài)
狀態(tài)分析
+10V
1K
IC
+6V 5K IB
+10V
1K
IC
-2V 5K IB
+10V
1K IC
+2V 5K IB
(a) (b) (c)
如圖所示的電路中，晶體管均為硅管,β=30，試分析各晶體管的工作狀態(tài)。
狀態(tài)分析
NPN(Si)三極管狀態(tài)判斷
狀態(tài)分析
NPN(Ge)三極管狀態(tài)判斷
總結(jié)
一、三極管這部分內(nèi)容很重要，要求能夠把三極管的符號(hào)、引腳等掌握的非常熟練，理解、分析三極管的三種工作狀態(tài)
二、課下應(yīng)認(rèn)真復(fù)習(xí)掌握三極管的工作狀態(tài)分析方法
謝謝觀看
孟金昌

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